O do inversorMOSFETfuncionan en estado de conmutación e a corrente que circula polos tubos é moi alta. Se o tubo non se selecciona correctamente, a amplitude da tensión de condución non é o suficientemente grande ou a disipación de calor do circuíto non é boa, pode que o MOSFET se quente.
1, a calefacción MOSFET do inversor é grave, debe prestar atención á selección de MOSFET
MOSFET no inversor no estado de conmutación, xeralmente requiren a súa corrente de drenaxe o máis grande posible, a resistencia de activación o máis pequena posible, o que pode reducir a caída de tensión de saturación do tubo, reducindo así o tubo xa que o consumo, reducir a calor.
Comprobe o manual do MOSFET, atoparemos que canto maior sexa o valor da tensión de soportación do MOSFET, maior será a súa resistencia de encendido, e aqueles con alta corrente de drenaxe e baixo valor de tensión de soportación do tubo, a súa resistencia é xeralmente inferior a decenas de miliohmios.
Asumindo unha corrente de carga de 5 A, escollemos o inversor comúnmente usado MOSFET RU75N08R e un valor de resistencia de tensión de 500 V 840 pode ser, a súa corrente de drenaxe é de 5 A ou máis, pero a resistencia de activación dos dous tubos é diferente, impulsa a mesma corrente. , a súa diferenza de calor é moi grande. A resistencia de activación do 75N08R é de só 0,008Ω, mentres que a resistencia de conexión do 840 é de 0,85Ω, cando a corrente de carga que flúe polo tubo é de 5A, a caída de tensión do tubo 75N08R é de só 0,04V, neste momento, o consumo do tubo MOSFET é só 0,2 W, mentres que a caída de tensión do tubo 840 pode ser de ata 4,25 W, o consumo do tubo é de ata 21,25 W. A partir diso pódese ver, canto menor sexa a resistencia de conexión do MOSFET do inversor, mellor, a resistencia de conexión do tubo é grande, o consumo do tubo baixo unha corrente elevada A resistencia de conexión do MOSFET do inversor é tan pequena. como sexa posible.
2, o circuíto de condución da amplitude da tensión de condución non é o suficientemente grande
MOSFET é un dispositivo de control de voltaxe, se quere reducir o consumo do tubo, reducir a calor,MOSFETA amplitude da tensión da unidade da porta debe ser o suficientemente grande como para que o bordo do pulso sexa pronunciado e recto, pode reducir a caída de tensión do tubo, reducir o consumo do tubo.
3, a disipación de calor MOSFET non é unha boa causa
InversorMOSFETa calefacción é grave. Como o consumo de enerxía do MOSFET do inversor é grande, o traballo xeralmente require unha área externa suficientemente grande do disipador térmico, e o disipador térmico externo e o propio MOSFET entre o disipador térmico deben estar en contacto estreito con (xeralmente é necesario revestir con graxa de silicona termocondutora). ), se o disipador de calor externo é máis pequeno ou o contacto co propio disipador de calor do MOSFET non está o suficientemente próximo, pode provocar quecemento do tubo.
Inverter MOSFET calefacción grave hai catro razóns para o resumo.
O lixeiro quecemento MOSFET é un fenómeno normal, pero un quecemento grave, aínda que leva a queimar o tubo, hai as seguintes catro razóns:
1, o problema do deseño de circuítos
Deixa que o MOSFET funcione nun estado de funcionamento lineal, en lugar de no estado do circuíto de conmutación. Tamén é unha das causas do quecemento MOSFET. Se o N-MOS está a facer a conmutación, a tensión de nivel G ten que ser uns V máis alta que a fonte de alimentación para estar completamente activada, mentres que o P-MOS é o contrario. Non está totalmente aberto e a caída de tensión é demasiado grande, o que provoca un consumo de enerxía, a impedancia de CC equivalente é maior, a caída de tensión aumenta, polo que U * I tamén aumenta, a perda significa calor. Este é o erro máis evitado no deseño do circuíto.
2, frecuencia demasiado alta
A razón principal é que, ás veces, a busca excesiva de volume, o que resulta en aumento da frecuencia, perdas de MOSFET en grandes cantidades, polo que a calor tamén aumenta.
3, non hai suficiente deseño térmico
Se a corrente é demasiado alta, o valor nominal de corrente do MOSFET, normalmente require unha boa disipación de calor para conseguir. Polo tanto, o ID é inferior á corrente máxima, tamén pode quentar mal, necesitar suficiente disipador de calor auxiliar.
4, a selección de MOSFET é incorrecta
Xuízo erróneo da potencia, a resistencia interna MOSFET non se considera totalmente, o que resulta nun aumento da impedancia de conmutación.
Hora de publicación: 22-Abr-2024
