As catro rexións dun MOSFET de mellora de canle N
(1) Rexión de resistencia variable (tamén chamada rexión insaturada)
Ucs" Ucs (th) (tensión de encendido), uDs" UGs-Ucs (th), é a rexión á esquerda da traza prefixada na figura onde a canle está activada. O valor dos UD é pequeno nesta rexión e a resistencia da canle está basicamente controlada só polos UG. Cando uGs é certo, ip e uDs nunha relación lineal, a rexión aproximase como un conxunto de liñas rectas. Neste momento, o tubo de efecto de campo D, S entre o equivalente a unha tensión UGS
Controlado pola tensión de resistencia variable UGS.
(2) rexión de corrente constante (tamén coñecida como rexión de saturación, rexión de amplificación, rexión activa)
Ucs ≥ Ucs (h) e Ubs ≥ UcsUssth), para a figura do lado dereito do pre-pinch off track, pero aínda non desglosado na rexión, na rexión, cando os uG deben estar, ib case non cambio coas UD, é unha característica de corrente constante. i está controlado só polos UG, entón o MOSFETD, S é equivalente a un control de voltaxe uG da fonte de corrente. MOSFET úsase en circuítos de amplificación, xeralmente no traballo do MOSFET D, S é equivalente a unha fonte de corrente de control de voltaxe uGs. MOSFET usado en circuítos de amplificación, xeralmente funciona na rexión, tamén coñecida como a área de amplificación.
(3) Área de corte (tamén chamada área de corte)
Área de recorte (tamén coñecida como área de corte) para cumprir co ucs "Ues (th) para a figura preto do eixe horizontal da rexión, a canle está totalmente suxeita, coñecida como o corte completo, io = 0 , o tubo non funciona.
(4) localización da zona de avaría
A rexión de descomposición está situada na rexión do lado dereito da figura. Co aumento das UD, a unión PN está sometida a demasiada tensión inversa e avaría, ip aumenta drasticamente. O tubo debe ser operado para evitar operar na rexión de avaría. A curva característica de transferencia pódese derivar a partir da curva característica de saída. Sobre o método utilizado como gráfica para atopar. Por exemplo, na Figura 3 (a) para Ubs = 6V liña vertical, a súa intersección coas distintas curvas correspondentes aos valores i, Us nas coordenadas ib- Uss conectadas á curva, é dicir, para obter a curva característica de transferencia.
Parámetros deMOSFET
Hai moitos parámetros de MOSFET, incluídos os parámetros de CC, os parámetros de CA e os parámetros límite, pero só os seguintes parámetros principais deben preocuparse no uso común: tensión de desconexión IDSS de corrente saturada da fonte de drenaxe Up, (tubos tipo unión e esgotamento). -Tubos de porta illadas de tipo, ou voltaxe de encendido UT (tubos de porta illadas reforzadas), transcondutividade gm, tensión de ruptura da fonte de fuga BUDS, PDSM de potencia máxima disipada e IDSM de corrente máxima de drenaxe.
(1) Corrente de drenaxe saturada
A corrente de drenaxe saturada IDSS é a corrente de drenaxe nun MOSFET de porta illada de tipo unión ou esgotamento cando a tensión de porta UGS = 0.
(2) Tensión de corte
A tensión de pinch-off UP é a tensión de porta nun MOSFET de porta illada de tipo unión ou de esgotamento que só corta entre o drenaxe e a fonte. Como se mostra en 4-25 para o tubo de canle N UGS unha curva ID, pódese entender para ver o significado de IDSS e UP
MOSFET catro rexións
(3) Tensión de aceso
A tensión de aceso UT é a tensión de porta nun MOSFET de porta illada reforzada que fai que a fonte entre drenaxe sexa só condutora.
(4) Transcondutividade
A transcondutividade gm é a capacidade de control da tensión da fonte de porta UGS sobre a ID de corrente de drenaxe, é dicir, a relación entre o cambio na ID de corrente de drenaxe e a variación da tensión da fonte de porta UGS. 9m é un parámetro importante que pondera a capacidade de amplificación doMOSFET.
(5) Tensión de avaría da fonte de drenaxe
A tensión de avaría da fonte de drenaxe BUDS refírese á tensión da fonte da porta UGS certo, o funcionamento normal do MOSFET pode aceptar a tensión máxima da fonte de drenaxe. Este é un parámetro límite, engadido á tensión de funcionamento do MOSFET debe ser inferior a BUDS.
(6) Disipación de potencia máxima
A disipación de potencia máxima PDSM tamén é un parámetro límite, refírese aoMOSFETo rendemento non se deteriora cando a disipación de enerxía da fonte de fuga máxima permitida. Cando se usa o MOSFET, o consumo de enerxía práctico debe ser inferior ao PDSM e deixar unha certa marxe.
(7) Corrente de drenaxe máxima
A corrente de fuga máxima IDSM é outro parámetro límite, refírese ao funcionamento normal do MOSFET, a fonte de fuga da corrente máxima permitida para atravesar a corrente de funcionamento do MOSFET non debe exceder o IDSM.
Principio de funcionamento do MOSFET
O principio de funcionamento do MOSFET (MOSFET de mellora da canle N) é usar VGS para controlar a cantidade de "carga indutiva", a fin de cambiar a condición da canle condutora formada por estas "carga indutiva" e, a continuación, conseguir o propósito. de controlar a corrente de drenaxe. O obxectivo é controlar a corrente de drenaxe. Na fabricación de tubos, a través do proceso de facer un gran número de ións positivos na capa illante, polo que no outro lado da interface poden ser inducidas máis cargas negativas, estas cargas negativas poden ser inducidas.
Cando a tensión da porta cambia, a cantidade de carga inducida na canle tamén cambia, o ancho da canle condutora tamén cambia e, polo tanto, a ID da corrente de drenaxe cambia coa tensión da porta.
Papel MOSFET
I. O MOSFET pódese aplicar á amplificación. Debido á alta impedancia de entrada do amplificador MOSFET, o capacitor de acoplamento pode ser de menor capacidade, sen o uso de capacitores electrolíticos.
En segundo lugar, a alta impedancia de entrada de MOSFET é moi adecuada para a conversión de impedancia. Comúnmente usado na etapa de entrada de amplificador de varias etapas para conversión de impedancia.
MOSFET pode ser usado como unha resistencia variable.
En cuarto lugar, MOSFET pódese usar facilmente como fonte de corrente constante.
En quinto lugar, MOSFET pódese usar como interruptor electrónico.
Hora de publicación: 12-Abr-2024
