Este é un paqueteMOSFETsensor infravermello piroeléctrico. O marco rectangular é a xanela de detección. O pin G é o terminal de terra, o pin D é o drenaxe interno do MOSFET e o pin S é a fonte interna do MOSFET. No circuíto, G está conectado a terra, D está conectado á fonte de alimentación positiva, os sinais infravermellos son introducidos dende a fiestra e os sinais eléctricos son emitidos por S.
Porta do xuízo G
O controlador MOS desempeña principalmente o papel de dar forma á forma de onda e mellorar a condución: se a forma de onda do sinal G doMOSFETnon é o suficientemente pronunciado, provocará unha gran cantidade de perda de enerxía durante a etapa de conmutación. O seu efecto secundario é reducir a eficiencia de conversión do circuíto. O MOSFET terá febre severa e será facilmente danado pola calor. Hai unha certa capacidade entre os MOSFETGS. , se a capacidade de conducción do sinal G é insuficiente, afectará seriamente o tempo de salto da forma de onda.
Curtocircuíte o polo GS, seleccione o nivel R×1 do multímetro, conecte o cable de proba negro ao polo S e o cable de proba vermello ao polo D. A resistencia debe ser duns poucos Ω a máis de dez Ω. Se se constata que a resistencia dun determinado pin e dos seus dous pinos son infinitas, e aínda é infinita despois de intercambiar os cables de proba, confírmase que este pin é o polo G, porque está illado dos outros dous pinos.
Determine a fonte S e o dreno D
Establece o multímetro en R×1k e mide a resistencia entre os tres pinos respectivamente. Use o método de proba de intercambio para medir a resistencia dúas veces. A que ten un valor de resistencia máis baixo (xeralmente duns poucos miles Ω a máis de dez mil Ω) é a resistencia directa. Neste momento, o cable de proba negro é o polo S e o cable de proba vermello está conectado ao polo D. Debido ás diferentes condicións de proba, o valor RDS(on) medido é superior ao valor típico indicado no manual.
SobreMOSFET
O transistor ten canle tipo N polo que se chama canle NMOSFET, ouNMOS. Tamén existe un FET MOS de canle P (PMOS), que é un PMOSFET composto por un BACKGATE tipo N lixeiramente dopado e unha fonte e drenaxe de tipo P.
Independentemente do MOSFET tipo N ou tipo P, o seu principio de funcionamento é esencialmente o mesmo. MOSFET controla a corrente no dreno do terminal de saída pola tensión aplicada á porta do terminal de entrada. MOSFET é un dispositivo controlado por voltaxe. Controla as características do dispositivo a través da tensión aplicada á porta. Non provoca o efecto de almacenamento de carga causado pola corrente base cando se usa un transistor para a conmutación. Polo tanto, ao cambiar de aplicación,MOSFETdebería cambiar máis rápido que os transistores.
O FET tamén recibe o seu nome polo feito de que a súa entrada (chamada porta) afecta á corrente que circula polo transistor proxectando un campo eléctrico sobre unha capa illante. De feito, non circula ningunha corrente por este illante, polo que a corrente GATE do tubo FET é moi pequena.
O FET máis común usa unha fina capa de dióxido de silicio como illante baixo o GATE.
Este tipo de transistor chámase transistor de semicondutor de óxido metálico (MOS) ou transistor de efecto de campo de semicondutores de óxido metálico (MOSFET). Debido a que os MOSFET son máis pequenos e son máis eficientes, substituíron os transistores bipolares en moitas aplicacións.
Hora de publicación: 10-nov-2023
