A conexión entre os MOSFET e os transistores de efecto de campo

A industria de compoñentes electrónicos chegou a onde está agora sen a axuda deMOSFETe transistores de efecto de campo. Non obstante, para algunhas persoas que son novas na industria electrónica, adoita ser fácil confundir os MOSFET e os transistores de efecto de campo. Cal é a conexión detrás dos MOSFET e os transistores de efecto de campo? Un MOSFET é ou non un transistor de efecto de campo?

De feito, segundo a inclusión destes compoñentes electrónicos, dito MOSFET é que o transistor de efecto de campo non é problema, pero ao revés non é correcto, é dicir, o transistor de efecto de campo non só inclúe MOSFET, senón que tamén inclúe outros compoñentes electrónicos.

Os transistores de efecto de campo pódense dividir en tubos de unión e MOSFET. En comparación cos MOSFET, os tubos de unión utilízanse con menos frecuencia, polo que a frecuencia de mencionar os tubos de unión tamén é moi baixa, e os MOSFET e os transistores de efecto de campo adoitan mencionarse, polo que é fácil dar un malentendido de que son o mesmo tipo de compoñentes.

MOSFETpódese dividir en tipo de mellora e tipo de esgotamento, o principio de funcionamento destes dous compoñentes electrónicos é lixeiramente diferente, o tipo de tubo de mellora na porta (G) máis a tensión positiva, o drenaxe (D) e a fonte (S) para conduta, mentres que o tipo de esgotamento aínda que a porta (G) non se engade á tensión positiva, o drenaxe (D) e a fonte (S) tamén son condutores.

Aquí a clasificación do transistor de efecto de campo non rematou, cada tipo de tubo pódese dividir en tubos de tipo N e tubos de tipo P, polo que o transistor de efecto de campo pódese dividir en seis tipos de tubos debaixo, respectivamente, de canle N. transistores de efecto de campo de unión, transistores de efecto de campo de unión de canle P, transistores de efecto de campo de mellora da canle N, transistores de efecto de campo de mellora da canle P, efecto de campo de esgotamento da canle N transistores e transistores de efecto de campo do tipo de esgotamento da canle P.

Cada compoñente do diagrama de circuíto dos símbolos do circuíto é diferente, por exemplo, a seguinte imaxe enumera os símbolos do circuíto dos dous tipos de tubos de unión, a frecha número 2 apuntando ao tubo para o transistor de efecto de campo de unión de canle N. , apuntando cara a fóra está o transistor de efecto de campo de unión da canle P.

MOSFETe a diferenza do símbolo do circuíto do tubo de unión aínda é relativamente grande, o transistor de efecto de campo de esgotamento de canle N e o transistor de efecto de campo de esgotamento de canle P, a mesma frecha apuntando á tubería para o tipo N, apuntando cara a fóra é o tubo de tipo P. . Do mesmo xeito, a distinción entre os transistores de efecto de campo de mellora de canle N e os transistores de efecto de campo de mellora de canle P tamén se basea no apuntamento da frecha, apuntando a tubería é de tipo N e apuntando cara a fóra é de tipo P.

Os símbolos de circuíto dos transistores de efecto de campo de mellora (incluíndo tubos tipo N e tubos tipo P) e transistores de efecto de campo de esgotamento (incluíndo tubos tipo N e tubos tipo P) están moi próximos. A diferenza entre os dous é que un dos símbolos está representado por unha liña discontinua e o outro por unha liña continua. A liña de puntos indica un transistor de efecto de campo de mellora e a liña continua indica un transistor de efecto de campo de esgotamento.