Por que sempre é difícil probar o uso e a substitución de MOSFET de alta potencia cun multímetro?

Sobre os MOSFET de alta potencia foi un dos enxeñeiros interesados ​​en discutir o tema, polo que organizamos o coñecemento común e pouco común deMOSFET, Espero axudar aos enxeñeiros. Falemos de MOSFET, un compoñente moi importante!

Protección antiestática

MOSFET de alta potencia é un tubo de efecto de campo de porta illada, a porta non é un circuíto de corrente continua, a impedancia de entrada é moi alta, é moi doado causar agregación de carga estática, o que resulta nunha alta tensión será a porta e a fonte de a capa illante entre a avaría.

A maioría da primeira produción de MOSFET non ten medidas antiestáticas, polo que teña moito coidado na custodia e aplicación, especialmente os MOSFET de menor potencia, debido á menor potencia de entrada de MOSFET, a capacitancia de entrada é relativamente pequena, cando se expón á electricidade estática xera un maior tensión, facilmente causada por avaría electrostática.

A recente mellora do MOSFET de alta potencia é unha diferenza relativamente grande, en primeiro lugar, debido á función dunha maior capacitancia de entrada tamén é maior, polo que o contacto coa electricidade estática ten un proceso de carga, o que resulta nunha menor tensión, causando avaría. da posibilidade de menor, e de novo, agora o MOSFET de alta potencia na porta interna e a fonte da porta e fonte dun regulador protexido DZ, a estática incrustada en A protección do valor do regulador de voltaxe do diodo regulador Abaixo, protexe eficazmente a porta e a fonte da capa illante, potencia diferente, diferentes modelos de regulador de protección MOSFET o valor do regulador de voltaxe do diodo é diferente.

Aínda que as medidas de protección interna MOSFET de alta potencia, debemos operar de acordo cos procedementos operativos antiestáticos, que é un persoal de mantemento cualificado que debe ter.

Detección e substitución

Na reparación de televisores e equipos eléctricos, atopará unha variedade de danos nos compoñentes,MOSFETtamén está entre eles, que é como o noso persoal de mantemento para usar o multímetro de uso común para determinar o bo e malo, bo e malo MOSFET. Na substitución de MOSFET se non hai o mesmo fabricante e o mesmo modelo, como substituír o problema.

1, proba MOSFET de alta potencia:

Como persoal de reparación de TV eléctrica xeral na medición de transistores ou díodos de cristal, xeralmente usa un multímetro común para determinar os transistores ou díodos bos e malos, aínda que non se pode confirmar o xuízo dos parámetros eléctricos do transistor ou do díodo, pero sempre que o método é correcto para a confirmación de transistores de cristal "bo" e "malo" ou "malo" para a confirmación de cristal transistores. "Malo" ou ningún problema. Do mesmo xeito, MOSFET tamén pode ser

Para aplicar o multímetro para determinar o seu "bo" e "malo", a partir do mantemento xeral, tamén pode satisfacer as necesidades.

A detección debe utilizar un multímetro tipo punteiro (o medidor dixital non é adecuado para medir dispositivos semicondutores). Para o tubo de conmutación MOSFET de tipo de potencia, a mellora da canle N, case todos os produtos dos fabricantes usan o mesmo formulario de paquete TO-220F (refírese á fonte de alimentación de conmutación para a potencia de 50-200 W do tubo de conmutación de efecto de campo) , a disposición de tres electrodos tamén é consistente, é dicir, os tres

Pins cara abaixo, o modelo de impresión mirando cara a si mesmo, o pasador esquerdo para a porta, o pasador de proba dereito para a fonte, o pasador do medio para o sumidoiro.

(1) multímetro e preparados relacionados:

Primeiro de todo, antes da medición debería poder usar o multímetro, especialmente a aplicación de engrenaxes de ohmios, para entender o bloque de ohmios será a aplicación correcta do bloque de ohmios para medir o transistor de cristal eMOSFET.

Coa escala central de ohmios do multímetro, o bloque de ohmios non pode ser demasiado grande, preferiblemente inferior a 12 Ω (táboa de tipo 500 para 12 Ω), de xeito que no bloque R × 1 pode ter unha corrente maior, para a unión PN do dianteiro características do xuízo é máis precisa. A batería interna do multímetro R × 10K do bloque é mellor superior a 9 V, polo que ao medir a corrente de fuga inversa da unión PN é máis precisa, se non, a fuga non se pode medir.

Agora, debido ao progreso do proceso de produción, a selección de fábrica, as probas son moi estritas, xeralmente xulgamos sempre que o xuízo do MOSFET non salga, non rompa o curtocircuíto, o non-circuíto interno pode ser amplificado no camiño, o método é moi sinxelo:

Usando un multímetro R × 10K bloque; A batería interna do bloque R × 10K é xeralmente de 9V máis 1,5V a 10,5V, esta tensión é xeralmente xulgada como suficiente fuga de inversión de unión PN, o bolígrafo vermello do multímetro é un potencial negativo (conectado ao terminal negativo da batería interna), o bolígrafo negro do multímetro é un potencial positivo (conectado ao terminal positivo da batería interna).

(2) Procedemento de proba:

Conecte o bolígrafo vermello á fonte do MOSFET S; conecte o bolígrafo negro ao dreno do MOSFET D. Neste momento, a indicación da agulla debe ser infinita. Se hai un índice óhmico, que indica que o tubo en proba ten un fenómeno de fuga, este tubo non se pode usar.

Manter o estado anterior; neste momento cunha resistencia de 100K ~ 200K conectada á porta e drenaxe; Neste momento, a agulla debe indicar o número de ohmios canto menor sexa mellor, xeralmente pódese indicar a 0 ohmios, esta vez é unha carga positiva a través da resistencia de 100 K na carga da porta MOSFET, o que resulta nun campo eléctrico de porta, debido a o campo eléctrico xerado pola canle condutora que resulta na condución de drenaxe e fonte, polo que a deflexión da agulla do multímetro, o ángulo de deflexión é grande (índice de Ohm é pequeno) para demostrar que o rendemento da descarga é bo.

E despois conectado á resistencia eliminada, entón o punteiro do multímetro aínda debe ser o MOSFET no índice permanece inalterado. Aínda que a resistencia para quitar, pero porque a resistencia á porta cargada pola carga non desaparece, o campo eléctrico da porta segue mantendo a canle condutora interna aínda se mantén, que son as características do tipo MOSFET de porta illada.

Se a resistencia para quitar a agulla vai lenta e gradualmente volver a alta resistencia ou incluso volver ao infinito, para considerar que a fuga de porta medida tubo.

Neste momento cun fío, conectado á porta e á fonte do tubo en proba, o punteiro do multímetro volveu inmediatamente ao infinito. A conexión do fío para que o MOSFET medido, liberación de carga de porta, o campo eléctrico interno desapareza; canle condutor tamén desaparece, polo que o drenaxe e fonte entre a resistencia e facer infinito.

2, substitución de MOSFET de alta potencia

Na reparación de televisores e todo tipo de equipos eléctricos, os danos nos compoñentes deben ser substituídos polo mesmo tipo de compoñentes. Non obstante, ás veces os mesmos compoñentes non están a man, é necesario utilizar outro tipo de substitución, polo que debemos ter en conta todos os aspectos de rendemento, parámetros, dimensións, etc., como a televisión dentro do tubo de saída da liña, como sempre que a consideración da tensión, corrente, potencia xeralmente pode ser substituído (tubo de saída de liña case as mesmas dimensións da aparencia), ea potencia tende a ser maior e mellor.

Para a substitución de MOSFET, aínda que tamén este principio, o mellor é prototipar o mellor, en particular, non persegue o poder para ser maior, porque o poder é grande; a capacidade de entrada é grande, cambian e os circuítos de excitación non coinciden coa excitación da resistencia de limitación de corrente de carga do circuíto de irrigación do tamaño do valor da resistencia e a capacidade de entrada do MOSFET está relacionada coa selección da potencia de gran a pesar do capacidade de grande, pero a capacidade de entrada tamén é grande e a capacidade de entrada tamén é grande e a potencia non é grande.

A capacitancia de entrada tamén é grande, o circuíto de excitación non é bo, o que á súa vez empeorará o rendemento de activación e desactivación do MOSFET. Mostra a substitución de diferentes modelos de MOSFET, tendo en conta a capacidade de entrada deste parámetro.

Por exemplo, hai un dano na placa de alta tensión de retroiluminación da TV LCD de 42 polgadas, despois de comprobar o dano interno do MOSFET de alta potencia, porque non hai un número de prototipo de substitución, a elección dunha tensión, corrente, potencia non son inferiores a O reemplazo orixinal de MOSFET, o resultado é que o tubo de retroiluminación parece ser un parpadeo continuo (dificultades de inicio) e, finalmente, substituíuse polo mesmo tipo do orixinal para resolver o problema.

Danos detectados no MOSFET de alta potencia, tamén se debe substituír a substitución dos seus compoñentes periféricos do circuíto de perfusión, xa que o dano ao MOSFET tamén pode ser compoñentes deficientes do circuíto de perfusión causados ​​polo dano ao MOSFET. Aínda que o propio MOSFET estea danado, no momento en que se avaria o MOSFET, os compoñentes do circuíto de perfusión tamén se danan e deben substituírse.

Así como temos un montón de mestres de reparación intelixentes na reparación da fonte de alimentación conmutada A3; Sempre que o tubo de conmutación se avare, tamén é a parte frontal do tubo de excitación 2SC3807 xunto coa substitución do mesmo motivo (aínda que o tubo 2SC3807, medido cun multímetro é bo).